来自德国的AZZURRO成立于2003年，主要为功率半导体和LED制造商提供新型晶圆。

AZZURRO拥有独家专利的GaN-on-Si技术。

他们的方法是先在硅基板上生长基于GaN材料的缓冲层，然后使用LED或电源。

半导体和其他行业中的不同应用在该晶圆上生产GaN薄膜。

该公司指出，在现阶段，有可能在6英寸（150毫米）硅衬底上的Si晶片上生产GaN，甚至挑战8英寸（200毫米）。

LEDinside希望这一新工艺能够有效解决现有LED生产设备转移到硅基板LED制造工艺方面的困难。

LEDinside荣幸地采访了AZZURRO营销业务副总裁Erwin Ysewijn先生，分享了AZZURRO的技术和经验。

销售与销售副总裁Erwin Ysewijn先生AZZURRO硅基GaN技术的市场困难和成本节约的好处硅基GaN可以说是最近在LED行业中的热门话题，其成熟度正在不断提高，这将成为LED技术中的一项。

将来会发展。

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但是，根据LEDinside分析，当前的技术难题集中在材料的热膨胀系数和晶格错位上。

由于硅基板和GaN的热膨胀系数不同，因此在制造过程中会由于两种材料之间的晶格位错而产生应力。

进而，形成诸如弓形，裂纹和膜厚不均匀的问题。

克服这些问题存在一定的困难，这是普通的LED制造商无法独立完成的。

过去，它们尚未在LED行业中广泛使用。

但是，如果可以克服上述问题，并且可以在硅基板上成功生成Gan层LED晶片（外延晶片），则可以受益于硅基板的良好导电性。

当时制造的LED将产生更少的热量，这将有助于简化LED应用的散热设计。

LEDinside认为，此举可进一步改善LED晶圆的波长一致性和厚度均匀性，使波长更加集中，大大降低外延工厂的后端检查成本，并大大提高良率。

根据AZZURRO的说法，如果将6英寸的Gan-on Si衬底和蓝宝石衬底产生的LED进行比较，并根据最新的成熟技术进行估算，则前者的成本最多可降低75％，节省的好处是显而易见的。

根据AZZURRO发布的GaN on Si晶片数据，当使用150mm（6英寸）晶片时，标准曲率偏差仅减小至0.764％，而4英寸蓝宝石衬底的标准偏差接近1.0％。

表演更加出色，并且有机会变得更加勤奋。

与蓝宝石衬底相比，使用硅衬底除了具有成本优势外，LED制造商还可以使用现有的硅晶片工艺技术，并且可以响应诸如切块等后续工艺技术的支持。

此外，在生产倒装芯片LED时，硅晶体材料比蓝宝石更容易去除。

不仅可以大大缩短生产周期，而且可以获得更好的产量。

为了节省成本和生产时间，LED制造商已开始考虑使用大尺寸基板，而硅基板具有相当大的优势。

GaN-on-Si市场开发AZZURRO对台湾拥有完整的LED产业供应链感到乐观，并对此给予了特别关注。

它不仅在台湾建立了技术和客户服务团队，而且还协助客户进行流程转换。

AZZURRO表示，当客户采用GaN on Si工艺时，AZZURRO将支持客户完成外延生长阶段，估计客户在芯片工艺的后期仅需要8至16周的时间。

编者的观点观察2012年硅基GaN市场的发展，目前它受到大尺寸蓝宝石衬底生产的限制，并且技术开发十分困难。

大于6英寸的蓝宝石衬底的价格也很高。

大多数LED制造商仍然使用2英寸和4英寸基板。

但是，全球领先的LED外延制造商目前正在进行Si晶片上的GaN实验。

此外，欧美制造商还于2012年加快了在Si晶片生产线上建立6英寸GaN的规模。

大规模生产阶段完成后，性价比和发光效率可以实现双赢。

LEDinside认为，迅速引入这项新技术是LED行业减少排放的一种新方法。