在英特尔和台积电各自推出自己的3D芯片封装技术之后，三星还宣布了新一代3D芯片技术。 -;基于TSV硅制程技术的X-Cube可以将不同的芯片堆叠在一起作为构建块，现在可以7纳米和5纳米工艺使用。
关于3D芯片封装，了解半导体芯片技术的玩家应该对它们不熟悉。现有芯片堆叠在2D平面中。
随着芯片数量的增加，占用面积越来越大，不利于提高集成度。顾名思义，3D封装将芯片从平面堆叠更改为垂直堆叠，这类似于构建块，从而减少了芯片面积并提高了集成度。
台积电和英特尔之前都宣布了3D封装技术。技术风是相似的，具体的实现方法是不同的。
英特尔的3D封装称为Foveros，已应用于Lakefield芯片并集成了10nm CPU和22nm IO内核。三星自己的3D封装技术称为X-Cube，它通过技术堆叠基于TSV硅的不同芯片。
SRAM芯片已经可以堆叠在芯片顶部，从而释放空间并允许堆叠更多的存储芯片。此外，TSV技术还可以大大缩短芯片之间的信号距离，提高数据传输速度，降低功耗，客户还可以根据需要自定义内存带宽和密度。
目前，三星的X-Cube技术可用于7nm和5nm工艺。三星将继续与全球经验不足的半导体公司合作，以在新一代高性能芯片中部署该技术。