2020年10月19日，中国上海-东芝电子元器件存储公司（“东芝”）今天宣布推出新的1200V碳化硅（SiC）MOSFET-“ TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源），并将于今天开始发货。
功率MOSFET采用碳化硅（SiC）的新材料。与常规的硅（Si）MOSFET和IGBT产品相比，它具有高耐压，高速开关和低导通电阻的特性，有利于降低功耗和简化系统。
。新产品采用东芝第二代芯片设计和生产，可以提高碳化硅MOSFET的可靠性，并具有低输入电容，低栅极输入电荷和低漏源导通电阻的特性。
与1200V硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT）“ GT40QR21”相比。由东芝推出的“ TW070J120B”关断开关损耗减少了约80％，开关时间（下降时间）缩短了约70％，并且可以在不超过20A的温度下使用。
在漏极电流下提供低开启电压。其栅极阈值电压设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内，这有助于降低发生故障的风险（意外打开或关闭）。
此外，具有低正向电压的内置碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）也有助于减少功率损耗。在大容量AC-DC转换器，光伏逆变器和大容量双向DC-DC转换器等工业应用中，这种新型MOSFET不仅将达到通过降低功率损耗来提高效率的目的，而且还将减少设备的数量。
大小有助于。应用范围：・大容量AC-DC转换器・光伏逆变器・大容量双向DC-DC转换器特性：・第2代芯片设计（内置碳化硅SBD）・高电压，低输入电容，低总栅极电荷，低导通电阻，低二极管正向电压，高栅极阈值电压： ＆amp; nbsp; VDSS ＝ 1200V，Ciss ＝ 1680pF（典型值），Qg ＝ 67nC（典型值）， ＆amp; nbsp; RDS（ON）=70mΩ（典型值），VDSF = -1.35V（典型值），Vth = 4.2〜5.8V。
增强型易于操作。主要规格：