今晚，英特尔围绕两年前提出的六项技术支柱战略举行了2020年架构日活动。

它已经宣布了10nm SuperFin先进工艺，Tiger Lake处理器，Xe GPU架构和第二代混合x86处理器Alder Lake。

存储也是英特尔六大技术支柱的重要组成部分。

今天，最新的闪存和Optane存储器路线图的正式发布也很简短。

在3D闪存方面，英特尔在96层之后与美光和平分手。

这两个独立开发的闪存堆栈超过100个。

当前的行业标准是128层，而英特尔开发的闪存已达到144层。

当然，它是QLC类型的。

该容量比行业标准高出50％。

目前，已经完成了144层QLC闪存的研发，预计将在今年年底或明年年初开始量产。

除了NAND​​闪存外，英特尔还拥有一个杀手级的存储芯片； 3D XPoint，它使用与闪存和内存不同的PCM相变技术。

其性能介于两者之间。

闪存要高得多，其容量比内存要大得多，同时成本也要低得多。

第一代3D XPoint芯片于2017年发布，具有2层堆栈。

第二代3D XPoint存储芯片有望在今年推出。

基于此，Optane SSD可以提供一百万次IOPS性能。

3D XPoint不仅用于生产Optane SSD硬盘，而且还可以用于Optane永久内存。

今年，英特尔推出了Optane 200系列持久性内存，外观类似于内存，单个存储容量高达512GB。

混合并匹配内存，每个通道有12个插槽可容纳6个通道，最多可安装6个Optane内存，总容量高达3TB。

凭借6个256GB DDR4内存，单通道系统的总存储容量可以达到惊人的4.5TB。

上图显示了英特尔未来计划的内存/存储系统。

容量最大的最外层是HDD硬盘驱动器，然后是3D QLC SSD硬盘驱动器，其次是Optane SSD，然后是Optane永久内存。

后面是DRAM存储器，HBM存储器，一直到内部SRAM高速缓存。

一路走来，容量会越来越小，成本也会越来越昂贵，但是性能会逐步提高，延迟也会降低。