与传统的LCD和OLED相比，基于Micro-LED的显示技术具有许多优势，这也使其有望成为下一代显示技术的主流。当前基于Micro-LED的显示技术仍需要克服许多瓶颈。
除了全彩色显示和过程制造中大量转移这两个问题外，GaN基Micro-LED器件的低EQE也是亟待解决的关键问题之一。 GaN基Micro-LED器件EQE较低的主要原因是侧壁缺陷引起的非辐射复合对小型器件下器件性能的影响。
针对这一问题，主要有以下几种解决方法：从工艺制备的角度出发，可以采用热退火，化学处理和侧壁钝化等方法。从器件的物理角度来看，可以通过热退火，化学处理和侧壁钝化等方法来实现。
调节器件内部的横向电流膨胀以实现横向载流子约束，从而进一步抑制非载流子效应。器件性能缺陷引起的辐射复合。
具有不同衬底厚度的器件在不同方向上的光分布。基于Crosslight先进的半导体器件仿真设计平台，我们的技术团队成功开发了基于光电耦合的光电器件光线跟踪模型，该模型以可视方式呈现了强烈的空间分布。
基于此模型，研究人员可以更有效地优化设备的光学参数，控制光子的行为和传输，并进一步研究设备之间的光学串扰问题。此外，该模型的成功开发对Micro-LED全彩显示研究的发展也具有重要意义，并为全彩显示技术的快速发展提供了一定的理论指导。
（当前文章已发表在JournalofPhysicsDAppliedPhysics上，文章链接：https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6463/abd9a3）