通常，我们可以通过改善间距或屏蔽来解决此问题。

为了获得更大的衰减，您需要增加滤波或减慢电路波形。

在电源中很容易找到一个100fF的电容作为寄生元件。

因此，必须理解，只有妥善处理它们，才能获得满足EMI标准的电源。

从开关节点到输入引线的少量寄生电容（100飞微法拉）将阻止您满足电磁干扰（EMI）要求。

那么一个100fF的电容器是什么样的呢？在Digi-Key中，这种电容器并不多。

即使这样做，由于寄生问题，它们仍将提供宽容度。

但是，很容易在电源中找到一个100fF的电容作为寄生元件。

只有正确处理它们，我们才能获得符合EMI标准的电源。

图1是这些意外电容器的示例。

图片的右侧是垂直安装的FET，开关节点和钳位电路延伸到图片的顶部。

输入连接从左侧进入，并到达排水连接1cm以内的位置。

这是故障点，在这里可以通过旁路EMI滤波器将FET的开关电压波形耦合到输入。

图1开关节点与输入连接的靠近会降低EMI性能。

请注意，漏极连接和输入引线之间的输入电容器提供了一些屏蔽。

电容器的外壳连接到主接地，这为共模电流返回主接地提供了一条路径。

如图2所示，这种微小的电容将导致电源EMI信号超出规格。

图2寄生漏极电容导致EMI性能超出规范要求。

这是一条有趣的曲线，因为它反映了几个问题：低频辐射明显超出规格要求，共模问题通常很明显，即1MHz衰减正弦（x）/ x分布到2MHz分量和更高的频率分量。

需要采取措施使辐射保持在规格范围内。

我们用一般的电容公式来减小它：C =ε˙A / d我们不能改变介电常数（ε），并且面积（A）已经是最小的。

但是，我们可以更改间距（d）。

如图3所示，我们将组件和输入之间的距离延长了3倍。

最后，我们使用了更大的接地层来增加屏蔽。

图3这种修改后的布局不仅可以增加间距，而且可以带来屏蔽性能。

图4是修改后的效果图。

对于故障点，EMI规格我们已经获得了大约6dB的余量。

此外，我们还大大降低了整体EMI信号。

所有这些改进仅归因于布局的调整，而没有改变电路。

如果您的电路具有高压开关并使用屏蔽距离，则需要非常小心地进行控制。

图4通过屏蔽和增加间距改善了EMI性能。

简而言之，来自离线开关电源的开关节点的100fF电容器将导致EMI信号超出规范。

仅通过寄生元件即可轻松实现该电容，例如，将漏极连接布线，使其靠近输入引线。